Single Crystal Silicon Ingot Featured Image

Ingotta waħda tas-silikon tal-kristall

Deskrizzjoni

Ingotta waħda tas-silikon tal-kristallis normalment imkabbra bħala ingott ċilindriku kbir b'teknoloġiji preċiżi ta 'doping u ġbid Czochralski CZ, metodi ta' Czochralski MCZ indott minn kamp manjetiku u FZ Żona galleġġjanti.Il-metodu CZ huwa l-aktar użat għat-tkabbir tal-kristall tas-silikon ta 'ingotti ċilindriċi kbar f'dijametri sa 300mm użati fl-industrija elettronika biex jagħmlu apparat semikonduttur.Il-metodu MCZ huwa varjazzjoni tal-metodu CZ li fih kamp manjetiku maħluq minn elettrokalamita, li jista 'jikseb konċentrazzjoni baxxa ta' ossiġnu komparattivament, konċentrazzjoni aktar baxxa ta 'impurità, dislokazzjoni aktar baxxa u varjazzjoni uniformi tar-reżistenza.Il-metodu FZ jiffaċilita l-kisba ta 'reżistenza għolja 'l fuq minn 1000 Ω-ċm u kristall ta' purità għolja b'kontenut baxx ta 'ossiġnu.

Kunsinna

Single Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ jew FZ NTD b'konduttività tat-tip n jew p fil-Korporazzjoni tal-Punent Minmetals (SC) jista 'jitwassal fid-daqs ta' dijametru ta '50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm u 200mm (2, 3 , 4, 6 u 8 pulzieri), orjentazzjoni <100>, <110>, <111> b'wiċċ ertjat f'pakkett ta 'borża tal-plastik ġewwa b'kaxxa tal-kartun barra, jew bħala speċifikazzjoni apposta biex tilħaq is-soluzzjoni perfetta.

Inkjesta issa

Dettalji

Tikketti

Speċifikazzjoni Teknika

Ingotta waħda tas-silikon tal-kristall

Ingot wieħed tas-silikon tal-kristall CZ, MCZ, FZ jew FZ NTDb'konduttività tat-tip n jew tat-tip p fil-Korporazzjoni Western Minmetals (SC) tista 'tiġi kkunsinnata f'daqs ta' 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm u 200mm dijametru (2, 3, 4, 6 u 8 pulzieri), orjentazzjoni <100 >, <110>, <111> b'wiċċ ertjat f'pakkett ta 'borża tal-plastik ġewwa b'kaxxa tal-kartun barra, jew bħala speċifikazzjoni apposta biex tilħaq is-soluzzjoni perfetta.

Nru.	Oġġetti	Speċifikazzjoni Standard
1	Daqs	2", 3", 4", 5", 6", 8", 9.5", 10", 12"
2	Dijametru mm	50.8-241.3, jew kif meħtieġ
3	Metodu ta 'Tkabbir	CZ, MCZ, FZ, FZ-NTD
4	Tip ta 'konduttività	Tip P / Boron drogat, N-tip / Phosphide drogat jew Un-doped
5	Tul mm	≥180 jew kif meħtieġ
6	Orjentazzjoni	<100>, <110>, <111>
7	Reżistenza Ω-ċm	Kif meħtieġ
8	Kontenut tal-Karbonju a/ċm³	≤5E16 jew kif meħtieġ
9	Kontenut ta 'Ossiġenu a/ċm³	≤1E18 jew kif meħtieġ
10	Kontaminazzjoni tal-metall a/ċm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) jew <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	Ippakkjar	Borża tal-plastik ġewwa, każ tal-plywood jew kaxxa tal-kartun barra.

Simbolu	Si
Numru Atomika	14
Piż Atomika	28.09
Kategorija tal-Element	Metalloid
Grupp, Perjodu, Blokk	14, 3, P
Struttura tal-kristall	Djamant
Kulur	Griż skur
Punt tat-tidwib	1414°C, 1687.15 K
Punt tat-Togħlija	3265°C, 3538.15 K
Densità fi 300K	2.329 g/ċm³
Reżistività intrinsika	3.2E5 Ω-ċm
Numru CAS	7440-21-3
Numru tal-KE	231-130-8

Ingotta waħda tas-silikon tal-kristall, meta mkabbra kompletament u kkwalifikati r-reżistenza tiegħu, il-kontenut ta 'impurità, il-perfezzjoni tal-kristall, id-daqs u l-piż, huwa ertjat bl-użu ta' roti tad-djamanti biex jagħmilha ċilindru perfett għad-dijametru tal-lemin, imbagħad jgħaddi minn proċess ta 'inċiżjoni biex tneħħi d-difetti mekkaniċi li ħallew il-proċess tat-tħin. .Wara l-ingott ċilindriku jinqata 'fi blokki b'ċertu tul, u jingħata talja u ċatt primarju jew sekondarju permezz ta' sistemi awtomatizzati għall-immaniġġjar tal-wejfers għall-allinjament biex jiġu identifikati l-orjentazzjoni kristallografika u l-konduttività qabel il-proċess tat-tqattigħ tal-wejfer downstream.