Gallju Antimonide GaSb

Deskrizzjoni

Gallju Antimonide GaSb, semikonduttur tal-komposti tal-grupp III–V bi struttura ta 'kannizzata taż-żingu-blende, huwa sintetizzat minn elementi ta' gallju u antimonju ta 'purità għolja 6N 7N, u mkabbra għal kristall bil-metodu LEC minn ingott polikristallin iffriżat b'mod direzzjonali jew metodu VGF b'EPD<1000cm^-3.Wejfer GaSb jista 'jiġi mqatta' fi u fabbrikat wara minn ingott kristallin wieħed b'uniformità għolja ta 'parametri elettriċi, strutturi ta' kannizzata uniċi u kostanti, u densità baxxa ta 'difetti, l-ogħla indiċi refrattiv mill-aktar komposti oħra mhux metalliċi.GaSb jista 'jiġi pproċessat b'għażla wiesgħa f'orjentazzjoni eżatta jew off, konċentrazzjoni drogata baxxa jew għolja, finitura tajba tal-wiċċ u għat-tkabbir epitassjali MBE jew MOCVD.Is-sottostrat tal-Gallium Antimonide qed jiġi utilizzat fl-applikazzjonijiet foto-ottiċi u optoelettroniċi l-aktar avvanzati bħall-fabbrikazzjonijiet ta 'ditekters tar-ritratti, ditekters infra-aħmar b'ħajja twila, sensittività għolja u affidabilità, komponent fotoreżist, LEDs infra-aħmar u lejżers, transistors, ċellula fotovoltajka termali u sistemi termo-fotovoltajċi.

Kunsinna

Gallium Antimonide GaSb fil-Korporazzjoni Western Minmetals (SC) jista 'jiġi offrut b'konduttività semi-insulanti tat-tip n, tip p u mhux doped fid-daqs ta' dijametru ta '2 "3" u 4" (50mm, 75mm, 100mm), orjentazzjoni <111> jew <100>, u b'finitura tal-wiċċ tal-wejfer ta' finituri lesti għall-epitassija kif maqtugħin, inċiżi, illustrati jew ta' kwalità għolja.Flieli kollha huma individwalment bil-laser scribed għall-identità.Sadanittant, polikristallin tal-gallju antimonide GaSb f'daqqa hija wkoll personalizzata fuq talba għas-soluzzjoni perfetta.

Inkjesta issa

Dettalji

Tikketti

Speċifikazzjoni Teknika

Gallju Antimonide

GaSb

Gallju Antimonide GaSbsottostrat qed jiġi utilizzat fl-applikazzjonijiet foto-ottiċi u optoelettroniċi l-aktar avvanzati bħall-fabbrikazzjonijiet ta 'ditekters tar-ritratti, ditekters infra-aħmar b'ħajja twila, sensittività għolja u affidabilità, komponent fotoreżist, LEDs infra-aħmar u lejżers, transistors, ċellula fotovoltajka termali u termo -sistemi fotovoltajċi.

	Oġġetti	Speċifikazzjoni Standard
1	Daqs	2"	3"	4"
2	Dijametru mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Metodu ta 'Tkabbir	LEC	LEC	LEC
4	Konduttività	P-tip/Zn-doped, Un-doped, N-tip/Te-doped
5	Orjentazzjoni	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Ħxuna μm	500±25	600±25	800±25
7	Orjentazzjoni Flat mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Identifikazzjoni Ċatt mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilità cm2/Vs	200-3500 jew kif meħtieġ
10	Konċentrazzjoni tat-Trasportatur cm-3	(1-100)E17 jew kif meħtieġ
11	TTV μm max	15	15	15
12	Pruwa μm max	15	15	15
13	Medd μm max	20	20	20
14	Dislokazzjoni Densità cm-2 max	500	1000	2000
15	Finish tal-wiċċ	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Ippakkjar	Kontenitur wafer wieħed issiġillat f'borża tal-Aluminju.

Formula Lineari	GaSb
Piż Molekulari	191.48
Struttura tal-kristall	Żingu blende
Dehra	Solidu kristallin griż
Punt tat-tidwib	710°C
Punt tat-Togħlija	N/A
Densità fi 300K	5.61 g/ċm³
Gap tal-Enerġija	0.726 eV
Reżistività intrinsika	1E3 Ω-ċm
Numru CAS	12064-03-8
Numru tal-KE	235-058-8

Gallju Antimonide GaSbfil-Western Minmetals (SC) Corporation tista 'tiġi offruta b'konduttività semi-insulazzjoni tat-tip n, tip p u mhux doped fid-daqs ta' dijametru ta '2” 3” u 4” (50mm, 75mm, 100mm), orjentazzjoni <111> jew <100 >, u b'finitura tal-wiċċ tal-wejfer ta 'finituri lesti ta' epitassi kif maqtugħin, inċiżi, illustrati jew ta 'kwalità għolja.Flieli kollha huma individwalment bil-laser scribed għall-identità.Sadanittant, polikristallin tal-gallju antimonide GaSb f'daqqa hija wkoll personalizzata fuq talba għas-soluzzjoni perfetta.