Indium Antimonide InSb

Deskrizzjoni

Indium Antimonide InSb, semikonduttur tal-komposti kristallini tal-grupp III–V bi struttura ta 'kannizzata taż-żingu-blende, huwa sintetizzat minn elementi ta' Indju u antimonju ta 'purità għolja 6N 7N, u kristall wieħed imkabbar bil-metodu VGF jew metodu Czochralski LEC Inkapsulat Likwidu minn ingott polikristallin raffinat ta' żona multipla, li jista 'jiġi mqatta' u fabbrikat f'wejfer u jimblokka wara.InSb huwa semikonduttur ta 'tranżizzjoni diretta b'distakk ta' medda dejqa ta '0.17eV f'temperatura tal-kamra, sensittività għolja għal wavelength ta' 1–5μm u mobilità ta 'sala ultra għolja.Indium Antimonide InSb konduttività tat-tip n, tat-tip p u semi-insulanti fil-Korporazzjoni tal-Punent Minmetals (SC) tista 'tiġi offruta fid-daqs ta' 1″ 2″ 3″ u 4″ (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) dijametru, orjentazzjoni < 111> jew <100>, u b'finitura tal-wiċċ tal-wejfer ta 'as-cut, lapped, inċiżi u illustrat.Indium Antimonide InSb mira ta 'Dia.50-80mm b'n-tip mhux doped hija wkoll disponibbli.Sadanittant, polikristallin indium antimonide InSb ( multicrystal InSb) b'daqs ta 'f'daqqa irregolari, jew vojt (15-40) x (40-80) mm, u bar tond ta' D30-80mm huma wkoll personalizzati fuq talba għas-soluzzjoni perfetta.

Applikazzjoni

Indium Antimonide InSb huwa sottostrat ideali wieħed għall-produzzjoni ta 'ħafna komponenti u apparati ta' l-istat ta 'l-arti, bħal soluzzjoni ta' immaġini termali avvanzati, sistema FLIR, element ta 'sala u element ta' effett ta 'manjetoresistance, sistema ta' gwida ta 'missili homing infra-aħmar, sensor fotodetector infrared li jirrispondu ħafna , sensur ta 'reżistività manjetika u rotanti ta' preċiżjoni għolja, matriċi fokali planari, u adattati wkoll bħala sors ta 'radjazzjoni terahertz u f'teleskopju spazjali astronomiku infra-aħmar eċċ.

Inkjesta issa

Dettalji

Tikketti

Speċifikazzjoni Teknika

Indium Antimonide

InSb

Sostrat ta' l-Indju Antimonide(InSb Substrat, InSb Wafer) tip n jew tip p fil-Korporazzjoni Western Minmetals (SC) jistgħu jiġu offruti fid-daqs ta '1" 2" 3" u 4" (30, 50, 75 u 100mm) dijametru, orjentazzjoni <111> jew <100>, u b'wiċċ ta 'wejfer ta' finituri lapped, inċiżi, illustrati.Indium Antimonide Single Crystal bar (InSb Monocrystal bar) jista 'jiġi fornut ukoll fuq talba.

Indium AntimonidePolycrystalline (InSb Polycrystalline, jew multicrystal InSb) b'daqs ta 'f'daqqa irregolari, jew vojt (15-40) x (40-80) mm huma wkoll personalizzati fuq talba għas-soluzzjoni perfetta.

Sadanittant, Indium Antimonide Target (InSb Target) ta 'Dia.50-80mm b'n-tip mhux doped huwa wkoll disponibbli.

Nru.	Oġġetti	Speċifikazzjoni Standard
1	Sostrat ta' l-Indju Antimonide	2"	3"	4"
2	Dijametru mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Metodu ta 'Tkabbir	LEC	LEC	LEC
4	Konduttività	P-tip/Zn, Ge doped, N-tip/Te-doped, Un-doped
5	Orjentazzjoni	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Ħxuna μm	500±25	600±25	800±25
7	Orjentazzjoni Flat mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Identifikazzjoni Ċatt mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilità cm2/Vs	1-7E5 N/mhux drogat, 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 jew ≤8E13 P/Ge-doped
10	Konċentrazzjoni tat-Trasportatur cm-3	6E13-3E14 N/mhux drogat, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 jew <1E14 P/Ge-doped
11	TTV μm max	15	15	15
12	Pruwa μm max	15	15	15
13	Medd μm max	20	20	20
14	Dislokazzjoni Densità cm-2 max	50	50	50
15	Finish tal-wiċċ	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Ippakkjar	Kontenitur wafer wieħed issiġillat f'borża tal-Aluminju.

Nru.	Oġġetti	Speċifikazzjoni Standard
Nru.	Oġġetti	Indium Antimonide Polikristallin	Mira tal-Indium Antimonide
1	Konduttività	Undoped	Undoped
2	Konċentrazzjoni tat-Trasportatur ċm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilità ċm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Daqs	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Ippakkjar	F'borża ta 'l-aluminju kompost, kaxxa tal-kartun barra

Formula Lineari	InSb
Piż Molekulari	236.58
Struttura tal-kristall	Żingu blende
Dehra	Kristalli metalliċi griż skur
Punt tat-tidwib	527 °C
Punt tat-Togħlija	N/A
Densità fi 300K	5.78 g/ċm³
Gap tal-Enerġija	0.17 eV
Reżistività intrinsika	4E(-3) Ω-ċm
Numru CAS	1312-41-0
Numru tal-KE	215-192-3

Indium Antimonide InSbwejfer huwa sottostrat ideali wieħed għall-produzzjoni ta 'ħafna komponenti u apparati ta' l-istat ta 'l-arti, bħal soluzzjoni ta' immaġini termali avvanzati, sistema FLIR, element ta 'sala u element ta' effett ta 'manjetoresistance, sistema ta' gwida ta 'missili homing infra-aħmar, sensur fotodetector infra-aħmar li jirrispondu ħafna, għoli -sensor ta 'reżistività manjetiku u rotanti ta' preċiżjoni, matriċi fokali planari, u adattat ukoll bħala sors ta 'radjazzjoni terahertz u f'teleskopju spazjali astronomiku infra-aħmar eċċ.