Ossidu tal-Indju

Deskrizzjoni

Ossidu ta' l-indju In₂O₃jew triossidu ta 'l-indju 99.99%, 99.995%, 99.999% u 99.9999%, mikrotrab jew trab solidu isfar ċar nanopartiċelli, CAS 1312-43-3, densità 7.18g/ċm³u tidwib madwar 2000°C, huwa materjal stabbli simili taċ-ċeramika li ma jinħallx fl-ilma, iżda jinħall fl-aċidu inorganiku sħun.Ossidu tal-Indju In₂O₃huwa materjal ta 'funzjoni ta' semikonduttur tat-tip n b'reżistività iżgħar, attività katalitika ogħla u distakk ta 'faxxa wiesgħa għal applikazzjonijiet optoelettroniċi. Ossidu tal-Indju In₂O₃fil-Western Minmetals (SC) Corporation jistgħu jiġu kkunsinnati b'purità ta '99.99%, 99.995%, 99.999% u 99.9999% fid-daqs ta' 2-10 mikron jew -100 trab tal-malji u nano grad, 1kg ippakkjat fi flixkun tal-polyethylene b'borża tal-plastik issiġillata, jew 1kg, 2kg 5kg f'borża ta 'l-aluminju kompost b'kaxxa tal-kartun barra, jew bħala speċifikazzjonijiet personalizzati għas-soluzzjonijiet perfetti.

Applikazzjonijiet

Ossidu tal-Indju In₂O₃għandha użu mifrux f'fotoelettrika, sensur tal-gass, rifletturi infra-aħmar ta 'film irqiq, applikazzjoni ta' katalizzatur, addittiv tal-kulur tal-ħġieġ ta 'speċjalità, batteriji alkalini, u swiċċijiet u kuntatti elettriċi ta' kurrent għoli, kisi protettiv ta 'mera metallika, u għal film semikonduttur ta' elettro-ottiku wiri eċċ Fil₂O₃huwa l-kostitwent ewlieni għall-mira ITO għal wirjiet, twieqi effiċjenti fl-enerġija u fotovoltajċi.Barra minn hekk, In₂O₃huwa bħala element reżistenti fl-ICs biex jifforma eterojunctions ma 'materjali bħal p-InP, n-GaAs, n-Si u semikondutturi oħra.Sadanittant, Wara effett tal-wiċċ, daqs żgħir u effett makroskopiku quantum tunneling,Nano In₂O₃hija primarjament għal kisjiet ottiċi u antistatiċi, applikazzjoni ta 'kisjiet konduttivi trasparenti.

Inkjesta issa

Dettalji

Tikketti

Speċifikazzjoni Teknika

In₂O₃

Dehra	Trab isfar
Piż Molekulari	277.63
Densità	7.18 g/ċm³
Punt tat-tidwib	2000°C
CAS Nru.	1312-43-2

Nru.	Oġġett		Speċifikazzjoni Standard
1	Purità Fil₂O₃≥		Impurità (Rapport tat-Test ICP-MS PPM Max kull wieħed)
2	4N	99.99%	Cu/Al 20, Ti 3.0, Pb 4.0, Sn 7.0, Cd 8.0, Fe 15	Total ≤100
	4N5	99.995%	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1.0, Si 2.0, Fe/Ca 5.0	Total ≤50
	5N	99.999%	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0.5, Ca/Sn/Ti 1.0	Total ≤10
	6N	99.9999%	Disponibbli fuq talba	Total ≤1.0
3	Daqs		2-10μm trab għal 4N 5N5 5N purità, -100mesh trab għal 6N purità
4	Ippakkjar		1kg fi flixkun tal-polyethylene b'borża tal-plastik issiġillata barra

Ossidu tal-Indju In₂O₃ jew Indium Trioxide In₂O₃fil-Punent Minmetals (SC) Corporation jistgħu jiġu kkunsinnati b'purità ta '99.99%, 99.995%, 99.999% u 99.9999% 4N 4N5 5N 6N fid-daqs ta' 2-10 mikron jew -100 trab tal-malji u nano grad, flixkun 1kg ippakkjat fil-polyethylene borża tal-plastik issiġillata, imbagħad kaxxa tal-kartun barra, jew bħala speċifikazzjonijiet personalizzati għas-soluzzjonijiet perfetti.

Ossidu tal-Indju In₂O₃għandha użu mifrux f'fotoelettrika, sensur tal-gass, rifletturi infra-aħmar ta 'film irqiq, applikazzjoni ta' katalizzatur, addittiv tal-kulur tal-ħġieġ ta 'speċjalità, batteriji alkalini, u swiċċijiet u kuntatti elettriċi ta' kurrent għoli, kisi protettiv ta 'mera metallika, u għal film semikonduttur ta' elettro-ottiku wiri eċċ Fil₂O₃huwa l-kostitwent ewlieni għall-mira ITO għal wirjiet, twieqi effiċjenti fl-enerġija u fotovoltajċi.Barra minn hekk, In₂O₃huwa bħala element reżistenti fl-ICs biex jifforma eterojunctions ma 'materjali bħal p-InP, n-GaAs, n-Si u semikondutturi oħra.Sadanittant, Wara effett tal-wiċċ, daqs żgħir u effett makroskopiku quantum tunneling, Nano In₂O₃hija primarjament għal kisjiet ottiċi u antistatiċi, applikazzjoni ta 'kisjiet konduttivi trasparenti.