• info@matltech.com
  • E2-1-1011 Ċentru Globali, No.1700 Tianfu Avenue North, Chengdu 610041, iċ-Ċina.
English
wmk_product_02
Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2

Kadmju Arsenide Cd3As2|GaAs InAs Nb3As2

Deskrizzjoni

Kadmju Arsenide Cd3As25N 99.999%,kulur griż skur, b'densità 6.211g/ċm3, punt tat-tidwib 721°C, molekula 487.04, CAS12006-15-4, solubbli fl-aċidu nitriku HNO3 u stabbiltà fl-arja, huwa materjal kompost sintetizzat ta 'kadmju u arseniku ta' purità għolja.Cadmium Arsenide huwa semimetall inorganiku fil-familja II-V u juri l-Effett Nernst.Il-kristall tal-Arsenidu tal-kadmju mkabbar bil-metodu tat-tkabbir Bridgman, struttura semimetallika Dirac bl-ingrossa mingħajr saffi, huwa semikonduttur deġenerat N-tip II-V jew semikonduttur b'distakk dejjaq b'mobilità għolja ta 'trasportatur, massa effettiva baxxa, u konduzzjoni mhux parabolika ħafna band.Kadmju Arsenide Cd3As2 jew CdAs huwa solidu kristallin u jsib aktar u aktar applikazzjoni f'semikonduttur u fil-qasam ottiku tar-ritratti bħal f'ditekters infra-aħmar li jużaw l-effett Nernst, f'sensors ta 'pressjoni dinamika b'film irqiq, laser, dajowds li jarmu d-dawl LED, tikek kwantiċi, biex jagħmlu magnetoresistors u f'fotodetectors.Komposti ta' Arsenide ta' Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs u Niobium Arsenide NbAs jew Nb5As3issib aktar applikazzjoni bħala materjal ta 'elettroliti, materjal semikonduttur, wiri QLED, qasam IC u oqsma materjali oħra.

Kunsinna

Kadmju Arsenide Cd3As2u Gallju Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs u Nijobju Arsenide NbAs jew Nb5As3fil-Punent Minmetals (SC) Corporation b'99.99% 4N u 99.999% 5N purità hija fid-daqs ta 'mikrotrab polikristallin -60mesh, -80mesh, nanopartiċelli, f'daqqa 1-20mm, granuli 1-6mm, biċċa, vojta, kristall bl-ingrossa u eċċ crystal wieħed ., jew bħala speċifikazzjoni personalizzata biex tilħaq is-soluzzjoni perfetta.


Dettalji

Tikketti

Speċifikazzjoni Teknika

Komposti ta' l-Arsenide

Komposti ta' l-Arsenide prinċipalment jirreferu għall-elementi tal-metall u komposti tal-metallojdi, li għandhom kompożizzjoni stojkjometrika li tinbidel f'ċerta firxa biex jiffurmaw soluzzjoni solida bbażata fuq kompost.Il-kompost inter-metalliku huwa tal-proprjetajiet eċċellenti tiegħu bejn il-metall u ċ-ċeramika, u jsir fergħa importanti tal-materjali strutturali ġodda.Minbarra Gallju Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs u Niobium Arsenide NbAs jew Nb5As3jistgħu wkoll jiġu sintetizzati fil-forma ta ' trab, granuli, f'daqqa, bar, kristall u sottostrat.

Kadmju Arsenide Cd3As2u Gallju Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs u Nijobju Arsenide NbAs jew Nb5As3fil-Punent Minmetals (SC) Corporation b'99.99% 4N u 99.999% 5N purità hija fid-daqs ta 'mikrotrab polikristallin -60mesh, -80mesh, nanopartiċelli, f'daqqa 1-20mm, granuli 1-6mm, biċċa, vojta, kristall bl-ingrossa u eċċ crystal wieħed ., jew bħala speċifikazzjoni personalizzata biex tilħaq is-soluzzjoni perfetta.

CM-W2

GaAs-W3

Nru.

Oġġett

Speċifikazzjoni Standard

Purità

Impurità PPM Max kull wieħed

Daqs

1

Kadmju ArsenideCd3As2

5N

 Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0

-60mesh -80mesh trab, f'daqqa 1-20mm, granuli 1-6mm

2

Gallju Arsenide GaAs

5N 6N 7N

 GaAs Kompożizzjoni hija disponibbli fuq talba

3

Nijobju Arsenide NbAs

3N5

 Il-Kompożizzjoni tal-NbAs hija disponibbli fuq talba

4

Indium Arsenide InAs

5N 6N

 InAs Kompożizzjoni hija disponibbli fuq talba

5

Ippakkjar

500g jew 1000g fi flixkun tal-polyethylene jew borża kompost, kaxxa tal-kartun barra

Gallju Arsenide

GaAs

Gallju Arsenide GaAs, Materjal semikonduttur kompost b'distakk dirett kompost III–V bi struttura tal-kristall taż-żingu blende, huwa sintetizzat minn elementi ta 'gallju u arseniku ta' purità għolja, u jista 'jiġi mqatta' u fabbrikat f'wejfer u vojt minn ingott kristallin wieħed imkabbar bil-metodu Vertical Gradient Freeze (VGF) .Grazzi għall-mobbiltà tas-sala saturati tagħha u l-qawwa għolja u l-istabbiltà tat-temperatura, dawk il-komponenti RF, ICs microwave u apparat LED magħmul minnha kollha jiksbu prestazzjoni kbira fix-xeni ta 'komunikazzjoni ta' frekwenza għolja tagħhom.Sadanittant, l-effiċjenza tat-trażmissjoni tad-dawl UV tagħha tippermetti wkoll li tkun materjal bażiku ppruvat fl-industrija Fotovoltajka.Gallium Arsenide GaAs wejfer fil-Punent Minmetals (SC) Corporation jistgħu jiġu kkunsinnati sa 6 "jew 150mm fid-dijametru b'purità 6N 7N, u sottostrat ta 'grad mekkaniku Gallium Arsenide huma wkoll disponibbli. Sadanittant, Gallium Arsenide bar polikristallin, f'daqqa u granuli eċċ b'purità ta '99.999% 5N, 99.9999% 6N, 99.99999% 7N ipprovduti minn Western Minmetals (SC) Corporation huma wkoll disponibbli jew bħala speċifikazzjoni personalizzata fuq talba.

Indium Arsenide

InAs

Indium Arsenide InAs, semikonduttur dirett-band-gap li jikkristallizza fl-istruttura taż-żingu-blende, kompost minn elementi ta 'indju u arseniku ta' purità għolja, imkabbra bil-metodu Czochralski Inkapsulat Likwidu (LEC), jista 'jiġi mqatta' u fabbrikat f'wejfer minn ingott kristallin wieħed.Minħabba d-densità baxxa ta 'dislokazzjoni iżda kannizzata kostanti, InAs huwa sottostrat ideali biex ikompli jappoġġa l-istrutturi eteroġenji InAsSb, InAsPSb & InNAsSb, jew l-istruttura superlattice AlGaSb.Għalhekk, għandu rwol importanti fil-fabbrikazzjoni ta 'apparati li jarmu infra-aħmar ta' medda ta 'mewġ ta' 2-14 μm.Barra minn hekk, il-mobilità suprema tas-sala iżda bandgap tal-enerġija dejqa ta 'InAs tippermetti wkoll li ssir is-sottostrat kbir għall-komponenti tas-sala jew manifattura ta' apparati oħra tal-laser u tar-radjazzjoni.Indium Arsenide InAs fil-Korporazzjoni Minmetals tal-Punent (SC) b'purità ta '99.99% 4N, 99.999% 5N, 99.9999% 6N jistgħu jiġu kkunsinnati f'sottostrat ta' 2" 3" 4" fid-dijametru. Sadanittant, Indium Arsenide polycrystalline f'daqqa (SC f'daqqa ) Korporazzjoni hija wkoll disponibbli jew bħala speċifikazzjoni personalizzata fuq talba.

Nijobju Arsenide

NbAs-2

NArseniur tal-jobju Nb5As3 or NbAs,solidu kristallin offwajt jew griż, CAS Nru.12255-08-2, piż tal-formula 653.327 Nb5As3u 167.828 NbAs, huwa kompost binarju ta 'Nijobju u Arseniku bil-kompożizzjoni NbAs, Nb5As3, NbAs4 ... eċċ sintetizzati bil-metodu CVD, dawn l-imluħa solida għandhom enerġiji ta' kannizzata għolja ħafna u huma tossiċi minħabba t-tossiċità inerenti tal-arseniku.Analiżi termali ta 'temperatura għolja turi NdAs esibiti volatilizzazzjoni tal-arseniku mat-tisħin. Niobium Arsenide, semi-metall Weyl, huwa tip ta 'materjal semikonduttur u fotoelettriku f'applikazzjonijiet għal semikondutturi, photo optic, dajowds li jarmu d-dawl tal-laser, quantum dots, sensors ottiċi u tal-pressjoni, bħala intermedji, u biex jiffabbrikaw superkondutturi eċċ Niobium Arsenide Nb5As3jew NbAs fil-Korporazzjoni tal-Punent Minmetals (SC) b'purità ta '99.99% 4N jistgħu jiġu kkunsinnati f'forma ta' trab, granuli, f'daqqa, mira u kristall bl-ingrossa eċċ jew bħala speċifikazzjoni apposta, li għandha tinżamm f'post magħluq tajjeb, reżistenti għad-dawl , post niexef u frisk.

Għajnuniet dwar l-Akkwisti

  • Kampjun Disponibbli Fuq Talba
  • Kunsinna tas-Sigurtà ta 'Merkanzija Permezz ta' Kurrier/Ajru/Baħar
  • Ġestjoni tal-Kwalità COA/COC
  • Ippakkjar Sikur u Konvenjenti
  • Ippakkjar Standard tan-NU Disponibbli Fuq Talba
  • ISO9001:2015 Ċertifikat
  • Termini CPT/CIP/FOB/CFR Permezz tal-Incoterms 2010
  • Termini ta 'Ħlas Flessibbli T/TD/PL/C Aċċettabbli
  • Servizzi ta' wara l-bejgħ ta' dimensjoni sħiħa
  • Spezzjoni tal-Kwalità Mill-Faċilità Sate-of-the-art
  • Approvazzjoni tar-Regolamenti Rohs/REACH
  • Ftehim ta' Non-Divulgazzjoni NDA
  • Politika Minerali Mhux Kunflitt
  • Reviżjoni tal-Ġestjoni Ambjentali Regolari
  • Sodisfar tar-Responsabbiltà Soċjali

Cd2As3 Nb2As3GaAs InAs

  • Preċedenti:
  • Li jmiss:

    • prodotti relatati

    Agħfas Enter biex tfittex jew Esc biex tagħlaq
    Kodiċi QR